RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
66
71
Autour de -8% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.8
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
66
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
1737
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link