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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Comparez
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Note globale
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
52
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
1,479.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
26
Vitesse de lecture, GB/s
4,226.4
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,479.2
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
590
3017
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Comparaison des RAM
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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