RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Comparez
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Note globale
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
52
Autour de -44% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
1,479.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
36
Vitesse de lecture, GB/s
4,226.4
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,479.2
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
590
2581
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M395T2953CZ4-CE61 1GB
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link