RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Сравнить
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
52
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
1,479.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,226.4
13.9
Скорость записи, Гб/сек
1,479.2
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
590
2581
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link