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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Comparez
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
52
Autour de -2% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
1,479.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
51
Vitesse de lecture, GB/s
4,226.4
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,479.2
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
590
2687
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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