RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
71
Autour de -129% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
1,322.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
71
31
Vitesse de lecture, GB/s
2,831.6
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,322.6
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
399
3861
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
‹
›
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link