RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
71
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3861
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link