RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Comparez
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Note globale
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
52
Autour de -68% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
1,479.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,226.4
12.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,479.2
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
590
2361
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
INTENSO 5641162 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link