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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
12.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
52
Por volta de -68% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
1,479.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,226.4
12.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,479.2
9.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
590
2361
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Comparações de RAM
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
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Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
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