RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Comparez
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Note globale
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Note globale
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,935.8
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
45
Autour de -61% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
28
Vitesse de lecture, GB/s
6,336.8
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,935.8
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1144
3384
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link