RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Comparez
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Note globale
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Note globale
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
51
Autour de 12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
2,935.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
51
Vitesse de lecture, GB/s
6,336.8
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,935.8
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1144
2387
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link