RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Comparez
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Note globale
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
69
Autour de -73% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.1
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.9
4.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
14900
Autour de 1.29 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
40
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
9.1
Vitesse d'écriture, GB/s
4.1
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
19200
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1116
2031
Kingston HX318C10FK/4 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link