RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Note globale
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
26
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
3687
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link