RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
32
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
32
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
2935
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link