RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 32
    周辺 19% 低遅延
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 13.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.2 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    13.2 left arrow 15.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 12.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2070 left arrow 2935

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAMの比較

A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
メモリRAM