RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
30
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.3
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
3701
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link