RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
92
Autour de -207% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
3473
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Comparaison des RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link