RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Note globale
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
26
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
22
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
2633
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link