RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
26
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2633
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link