RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Porównaj
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wynik ogólny
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
52
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
52
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2472
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link