RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
92
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3426
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link