RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
26
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
2619
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
INTENSO 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link