RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8,883.4
16.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
44
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
14
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
29
Vitesse de lecture, GB/s
14,740.4
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8,883.4
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2811
3961
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link