RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
16.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
44
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
14
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
29
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
3961
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link