Porównanie pamięci RAM Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Wynik ogólny

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

23 47

Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

18.1 11.8

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

15.0 8.0

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 12800

Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2061 3317

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns