RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
47
Autour de -104% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
23
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
3317
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link