RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Comparez
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Note globale
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Note globale
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
23
Autour de 22% latence réduite
Raisons de considérer
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
13.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
18
23
Vitesse de lecture, GB/s
17.7
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
13.1
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2926
3317
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaison des RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link