RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
47
En -104% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
23
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
3317
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston 99U5403-043.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link