RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
47
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
23
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
18.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
3317
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link