RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
99
Wokół strony 76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
99
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1499
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link