RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
99
Около 76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
99
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1499
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link