RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
99
Por volta de 76% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
6.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
99
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
6.9
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
1499
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Lenovo 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link