RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3316
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link