RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Note globale
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
36
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
32
Vitesse de lecture, GB/s
14.8
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2481
3385
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link