RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
51
Autour de -132% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
22
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3083
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link