RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
51
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3083
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link