RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB vs SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
46
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.1
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
31
46
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
12800
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1304
2088
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link