RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
30
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3824
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link