RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
18.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3824
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link