RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
18.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3824
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link