RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
42
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2082
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link