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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Note globale
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
49
Autour de 27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
49
Vitesse de lecture, GB/s
14.8
10.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2481
2413
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Comparaison des RAM
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G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
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