RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
49
Intorno 27% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
8.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
49
Velocità di lettura, GB/s
14.8
10.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2481
2413
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link