G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

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ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    28 left arrow 37
    Autour de 24% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    21.4 left arrow 12.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    14.3 left arrow 7.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 10600
    Autour de 1.81 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    28 left arrow 37
  • Vitesse de lecture, GB/s
    12.4 left arrow 21.4
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    7.5 left arrow 14.3
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2014 left arrow 3448
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons