G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB против ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Средняя оценка
star star star star star
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 37
    Около 24% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    21.4 left arrow 12.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    14.3 left arrow 7.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 10600
    Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 37
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.4 left arrow 21.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.5 left arrow 14.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2014 left arrow 3448
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения