RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Сравнить
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
35
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
16.8
Скорость записи, Гб/сек
8.5
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2277
3306
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link