RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Причины выбрать
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    26 left arrow 27
    Около 4% меньшая задержка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    14.6 left arrow 14.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.5 left arrow 9.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 12800
    Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    26 left arrow 27
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.1 left arrow 14.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.5 left arrow 10.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2354 left arrow 2409

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB Сравнения RAM

Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
модули RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
модули RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
модули RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
модули RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
модули RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
модули RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
модули RAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
модули RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
модули RAM
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
модули RAM
Kingston 9965426-079.A00LF 4GB
Kingston 9965426-079.A00LF 4GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
модули RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
модули RAM