RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
27
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.6
14.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
10.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2354
2409
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB RAM-Vergleiche
Kingston KF556C40-16 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link