RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Note globale
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
47
Autour de 40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.4
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
47
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
11.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2014
2362
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link