RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB против Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Средняя оценка
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
47
Около 40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.4
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.4
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
47
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
11.2
Скорость записи, Гб/сек
7.5
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2014
2362
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link