RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
34
Autour de 18% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2014
2902
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link